Transistorid PNP ja NPN on BJT-d ja see on põhiline elektriline komponent, mida kasutatakse mitmesugustes elektrilised ja elektroonilised vooluringid projektide ehitamiseks . PNP- ja NPN-transistoride tööks kasutatakse peamiselt auke ja elektrone. Neid transistore saab kasutada võimendite, lülitite ja ostsillaatoritena. PNP-transistoris on enamus laengukandjad augud, kusjuures NPN-is on enamus laengukandjad elektronid. Välja arvatud FET-idel on ainult ühte tüüpi laadimiskandja . Peamine erinevus NPN ja PNP transistori vahel on see, et NPN transistor saab võimsuse siis, kui voolu voog läbib transistori baasklemmi.
NPN-transistoris kulgeb voolu voog kollektori terminalist emitteri terminalini. PNP-transistor lülitub SISSE, kui transistori baasklemmil pole voolu. PNP-transistoris kulgeb voolu voog emitteri terminalist kollektori terminalini. Selle tulemusena lülitub PNP-transistor madala signaali abil sisse, kus NPN-transistor lülitub sisse kõrge signaaliga.
Erinevus PNP ja NPN vahel
NPN ja PNP transistori erinevus
Peamine erinevus NPN ja PNP transistorid hõlmab PNP- ja NPN-transistore, ehitust, töötamist ja selle rakendusi.
Mis on PNP-transistor?
Termin PNP tähistab positiivset, negatiivset, positiivset ja tuntud ka kui hankimist. PNP transistor on BJT selles transistoris täht P tähistab emitteri terminali jaoks vajaliku pinge polaarsust. Teine täht N tähistab baasterminali polaarsust. Sellises transistoris on enamus laengukandjaid augud. Peamiselt töötab see transistor sama mis NPN-transistor.
PNP transistor
Selle transistori emitteri (E), aluse (B) ja kollektori (C) klemmide ehitamiseks vajalikud materjalid erinevad NPN-transistorides kasutatavatest materjalidest. Selle transistori BC-klemmid on pidevalt vastupidiselt kallutatud, siis tuleks kollektoriklemmi jaoks kasutada pinget –Ve. Järelikult peab PNP-transistori baasterminal olema emitter-terminali suhtes –Ve ja kollektoriklemm –Ve kui baasklemm
PNP transistori ehitus
PNP transistori ehitus on näidatud allpool. Mõlema transistori põhiomadused on sarnased, välja arvatud see, et voolu ja pinge suundade kallutamine on ümber pööratud kõigi saavutatavate 3-konfiguratsioonide puhul, nimelt ühine alus, ühine emitter ja ühine kollektor.
PNP transistori ehitus
VBE (põhi- ja emitterterminali) vaheline pinge on –Ve baasklemmil ja + Ve emitterterminalil. Kuna selle transistori korral on baasterminal emitterklemmi suhtes pidevalt kallutatud -Ve. Samuti on VBE positiivne koguja VCE suhtes.
Selle transistoriga ühendatud pingeallikad on näidatud ülaltoodud joonisel. Emitterterminal on ühendatud koormustakistiga ‘RL’ ‘Vcc’. See takisti peatab voolu läbi seadme, mis on ühendatud kollektori klemmiga.
Baaspinge „VB” on ühendatud „RB” baastakistiga, mis on emitterklemmi suhtes negatiivne. Baasvoolu juurutamiseks läbi PNP-transistori peaks transistori baasklemm olema negatiivsem kui baasklemm umbes 0,7-voldise (või) Si-seadme võrra.
The primaarne erinevus PNP ja NPN transistori vahel on transistori liigeste õige kallutamine. Voolu suunad ja pinge polaarsused on üksteisele pidevalt vastupidised.
Mis on NPN-transistor?
Termin NPN tähistab negatiivset, positiivset, negatiivset ja tuntud ka kui uppumist. NPN transistor on BJT , määratleb selles transistoris algustäht „N” materjali negatiivselt laetud katte. Kus tähistab P tähega täielikult laetud kihti. Mõlemal transistoril on positiivne kiht, mis paiknevad kahe negatiivse kihi keskel. Üldiselt kasutatakse NPN-transistorit erinevates elektriahelates ümberlülitamiseks ja tugevdatakse nende kaudu ületavaid signaale.
NPN transistor
NPN transistor sisaldab kolme klemmi nagu alus, emitter ja kollektor. Neid kolme klemmi saab kasutada transistori ühendamiseks trükkplaadiga. Kui vool voolab läbi selle transistori, saab transistori baasklemm elektrisignaali. Kollektoriterminal loob a tugevam elektrivool ja emitteri klemm ületab selle tugevama voolu vooluahelasse. PNP-transistoris kulgeb vool läbi kollektori emitteri terminalini.
Tavaliselt kasutatakse NPN-transistorit, kuna selle genereerimine on nii lihtne. NPN-transistori korralikuks toimimiseks tuleb see luua pooljuhtobjektist, mis hoiab mõnda voolu. Kuid mitte maksimaalset kogust kui ülijuhtivaid materjale nagu metall. Räni on pooljuhtides tavaliselt kasutatav. Need transistorid on lihtsad räni ehitamiseks mõeldud transistorid.
NPN-transistorit kasutatakse arvuti trükkplaadil teabe tõlkimiseks binaarkoodiks ja see protseduur on osav paljude väikeste lülitite kaudu, mis tahvlitel sisse ja välja lülitavad. Võimas elektrisignaal keerab lüliti sisse, samas kui signaali puudumine muudab lüliti välja.
NPN-transistori ehitus
Selle transistori ehitus on näidatud allpool. Transistori aluse pinge on + Ve ja –Ve transistoride emitteri terminalis. Transistori baasklemm on emitteri suhtes alati positiivne ja ka kollektori pingeallikas on transistori emitterklemmi suhtes + Ve. Selles transistoris on kollektori klemm ühendatud RC kaudu VCC-ga
NPN transistori ehitus
See takisti piirab voolu läbi suurima baasvoolu. NPN-transistoris esindavad elektronid läbi aluse transistori tegevust. Selle transistori tegevuse peamine omadus on ühendus i / p ja o / p ahelate vahel. Kuna transistori võimendusomadused tulenevad sellest tulenevast juhtimisest, mida alus kasutab kollektoril voolu väljastamiseks.
NPN transistor on vooluga aktiveeritud seade. Kui transistor on sisse lülitatud, varustab tohutu voolu IC transistori kollektori ja emitteri klemmide vahel. Kuid see juhtub ainult siis, kui läbi transistori baasklemmi voolab väike eelpingestusvool ‘Ib’. See on bipolaarne transistor, mille vool on kahe voolu (Ic / Ib) suhe, mida nimetatakse seadme alalisvoolu võimenduseks.
See on määratud tähega „hfe” või tänapäeval beetaversiooniga. Beetaväärtus võib tüüpiliste transistoride puhul olla tohutu kuni 200. Kui NPN-transistorit kasutatakse aktiivses piirkonnas, pakub baasvool ‘Ib’ i / p ja kollektorivool ’IC’ o / p. NPN-transistori voolutugevus C-st Eis-ni, mida nimetatakse alfaks (Ic / Ie), ja see on transistori enda eesmärk. Kuna Ie (emittervool) on väikese baasvoolu ja tohutu kollektorvoolu summa. Alfa väärtus on ühtsusele väga lähedal ja tüüpilise väikese võimsusega signaalitransistori puhul jääb väärtus vahemikku umbes 0,950–0,999.
MainErinevus PNP ja NPN vahel
PNP- ja NPN-transistorid on kolm lõppseadet, mis koosnevad legeeritud materjalidest, mida kasutatakse sageli rakenduste lülitamisel ja võimendamisel. On kombineeritud PN-dioodid igas bipolaarse ristmiku transistor . Kui paar dioodi on ühendatud, moodustab see võileiva. See iste on omamoodi pooljuht kahe sarnase tüübi keskel.
NPN ja PNP transistori erinevus
Niisiis on ainult kahte tüüpi bipolaarseid võileibu, nimelt PNP ja NPN. Pooljuhtseadmetes on NPN-transistoril tavaliselt kõrge elektronide liikuvus, mida hinnatakse augu liikuvusega. Seega võimaldab see tohutut voolu ja töötab väga kiiresti. Ja selle transistori ehitus on ränist lihtne.
- Mõlemad transistorid on kogutud spetsiaalsetest materjalidest ja ka nendes transistorides on vooluhulk erinev.
- NPN-transistoris kulgeb vooluhulk kollektoriterminalist Emitteri terminalini, samas kui PNP-s voolab vooluemitteri terminalist kollektoriterminalini.
- PNP transistor koosneb kahest P-tüüpi materjalikihist ja N-tüüpi kihist. NPN transistor koosneb kahest N-tüüpi materjalikihist, millele on kinnitatud P-tüüpi kiht.
- NPN-transistoris seatakse kollektori klemmile + ve pinge, et tekitada kollektorist voolu voog. PNP-transistori jaoks on emitteri klemmile seatud + ve pinge, et tekitada voolu voog emitteri terminalist kollektorisse.
- NPN-transistori peamine tööpõhimõte on see, et kui vool suurendatakse baasklemmini, lülitub transistor sisse ja see toimib täielikult kollektori terminalist emitteri terminalini.
- Kui vähendate voolu alusele, lülitub transistor sisse ja voolu vool on nii väike. Transistor ei tööta enam kogu kollektori terminalist emitteri terminalini ja lülitub välja.
- PNP-transistori peamine tööpõhimõte on see, et kui PNP-transistori põhjas on vool olemas, siis lülitub transistor välja. Kui transistori aluses pole voolu, lülitub transistor sisse.
See puudutab peamist erinevust NPN- ja PNP-transistoride vahel, mida kasutatakse elektriliste ja elektrooniliste vooluahelate ja mitmesuguste rakenduste kujundamiseks. Lisaks sellele on kahtlusi selle kontseptsiooni või selle suhtes rohkem teada erinevat tüüpi transistori konfiguratsioonidest , saate oma nõu anda, kommenteerides allolevas kommentaaride jaotises. Siin on teile küsimus, millisel transistoril on suurem elektronide liikuvus?
